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GaAs射頻研發-稅前30萬-上海某初創半導體公司

案例介紹

職位名稱:GaAs射頻研發(30萬)
工作地點:上海
案例日期:2024年12月03日
所在行業:能源/化工
職位周期:52天
上崗人數:1人
顧問團隊:Monica,Demi
職位名稱:GaAs射頻研發
職位年薪:30萬
企業名稱:上海某初創半導體公司
工作地點:上海
案例日期:2024年12月03日
所在行業:能源/化工
職位周期:52天
上崗人數:1人
顧問團隊:Monica,Demi

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Monica Monica
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