搜索職位:
-
職位描述
-
1、MOSFET、IGBT的設計與開發：器件結構與工藝設計，新老產品性能優化與良率提升，器件測試與可靠性考核，與FAE共同完成器件整機應用測試，完成編寫產品規格書；
2、與晶圓代工廠和封裝代工廠日常對接：設計制定工藝流程和測試程序，設計流片實驗方案與封裝實驗方案，完成編寫封裝規格書與芯片規格書；
3、專利與論文的編寫：包括但不限于器件結構、制造工藝、封裝結構、產品應用等，研究與分析國內外知名半導體功率器件公司的新技術、新產品、新封裝與各類應用；
4、負責協助完成政府項目申報的報告編寫，配合質量人員完成質量體系的建立與完善。
1.半導體或微電子相關專業，碩士學歷（從業6年以上的可以本科學歷）；
2.在功率器件領域設計崗位工作3年以上，從事SGT或超結研發設計至少2年時間；有成功的案例
3.了解半導體器件的制造工藝流程。
-
企業介紹
-
工作地址
-
上海
400
